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NVMYS029N08LHTWG
MOSFET, N-CH, 80V, 22A, LFPAK
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVMYS029N08LHTWGCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant20 semaines
Code Commande
Mise en bobine81AK4265RL
Bandes découpées81AK4265
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 2,360 $ | 2,36 $ |
| Total Prix | 2,36 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,360 $ |
| 50+ | 1,210 $ |
| 100+ | 1,100 $ |
| 250+ | 1,000 $ |
| 500+ | 0,901 $ |
| 1000+ | 0,883 $ |
| 2500+ | 0,865 $ |
| 5000+ | 0,847 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVMYS029N08LHTWGCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant20 semaines
Code Commande
Mise en bobine81AK4265RL
Bandes découpées81AK4265
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id22A
Drain Source On State Resistance0.029ohm
Transistor Case StyleLFPAK
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation33W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
22A
Transistor Case Style
LFPAK
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
33W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
0.029ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
4Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Produits de remplacement pour NVMYS029N08LHTWG
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:À déterminer
SVHC :No SVHC (15-Jan-2018)
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Certificat de conformité du produit