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NVMYS7D3N04CLTWG
SINGLE MOSFET TRANSISTORS ROHS COMPLIANT: YES
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 23 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,580 $ |
| 10+ | 1,220 $ |
| 25+ | 1,140 $ |
| 50+ | 1,060 $ |
| 100+ | 0,973 $ |
| 250+ | 0,922 $ |
| 500+ | 0,870 $ |
| 1000+ | 0,805 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
1,58 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVMYS7D3N04CLTWG
Code Commande39AH9083
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id52A
Drain Source On State Resistance7300µohm
On Resistance Rds(on)0.0061ohm
Transistor Case StyleLFPAK
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation Pd38W
Power Dissipation38W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCLead (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
7300µohm
Transistor Case Style
LFPAK
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
38W
No. of Pins
4Pins
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
52A
On Resistance Rds(on)
0.0061ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
Power Dissipation
38W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits