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NVNJWS200N031LTAG
MOSFET, N-CH, 30V, 3.3A, XDFNW
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVNJWS200N031LTAGCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant20 semaines
Code Commande
Mise en bobine06AN0869RL
Bandes découpées06AN0869
Votre numéro de pièce
1 400 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 0,718 $ | 0,72 $ |
| Total Prix | 0,72 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,718 $ |
| 50+ | 0,454 $ |
| 100+ | 0,368 $ |
| 250+ | 0,361 $ |
| 500+ | 0,353 $ |
| 1000+ | 0,346 $ |
| 2500+ | 0,339 $ |
| 5000+ | 0,332 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVNJWS200N031LTAGCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant20 semaines
Code Commande
Mise en bobine06AN0869RL
Bandes découpées06AN0869
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id3.3A
Drain Source On State Resistance0.2ohm
Transistor Case StyleXDFNW
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation4.1W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
3.3A
Transistor Case Style
XDFNW
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
4.1W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.2ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
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