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NVR5198NLT1G
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 2.2 A, 0.107 ohm, SOT-23, Surface Mount
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVR5198NLT1GCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant11 semaines
Code Commande
Bobine complète87AK0384
Bandes découpées10AN4210
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 11 semaine(s)
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 3000 | 0,277 $ | 831,00 $ |
| Total Prix | 831,00 $ | ||
Bandes découpées
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,277 $ |
| 5000+ | 0,251 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,192 $ |
| 9000+ | 0,175 $ |
| 15000+ | 0,172 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVR5198NLT1GCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant11 semaines
Code Commande
Bobine complète87AK0384
Bandes découpées10AN4210
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id2.2A
Drain Source On State Resistance0.107ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation1.5W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
2.2A
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.107ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Produits de remplacement pour NVR5198NLT1G
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :À déterminer
Conforme à la norme RoHS Phthalates:À déterminer
SVHC :No SVHC (15-Jan-2018)
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