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NVTFS4C305NETAG
MOSFET, N-CH, 30V, 102A, WDFN-8
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVTFS4C305NETAGCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant22 semaines
Code Commande
Mise en bobine16AN4218RL
Bandes découpées16AN4218
Votre numéro de pièce
1 500 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 3,780 $ | 3,78 $ |
| Total Prix | 3,78 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,780 $ |
| 50+ | 1,880 $ |
| 100+ | 1,690 $ |
| 250+ | 1,500 $ |
| 500+ | 1,300 $ |
| 1000+ | 1,270 $ |
| 2500+ | 1,240 $ |
| 5000+ | 1,220 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVTFS4C305NETAGCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant22 semaines
Code Commande
Mise en bobine16AN4218RL
Bandes découpées16AN4218
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id102A
Drain Source On State Resistance0.0036ohm
Transistor Case StyleWDFN
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.2V
Power Dissipation68W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCLead (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
102A
Transistor Case Style
WDFN
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
68W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.0036ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.2V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (04-Feb-2026)
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Certificat de conformité du produit