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NVTFS5116PLTWG
MOSFET, AEC-Q101, P-CH, -60V, WDFN
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
3 061 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,390 $ |
| 10+ | 1,060 $ |
| 25+ | 0,985 $ |
| 50+ | 0,915 $ |
| 100+ | 0,846 $ |
| 250+ | 0,761 $ |
| 500+ | 0,675 $ |
| 1000+ | 0,652 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
1,39 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVTFS5116PLTWG
Code Commande14AC4794
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id14A
On Resistance Rds(on)0.037ohm
Drain Source On State Resistance0.037ohm
Transistor Case StyleWDFN
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation21W
Power Dissipation Pd21W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCLead (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
On Resistance Rds(on)
0.037ohm
Transistor Case Style
WDFN
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
21W
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
14A
Drain Source On State Resistance
0.037ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation Pd
21W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour NVTFS5116PLTWG
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits