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NVTFS5C466NLETAG
MOSFET, N-CH, 40V, 51A, WDFN-8
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVTFS5C466NLETAGCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant22 semaines
Code Commande
Mise en bobine11AN7251RL
Bandes découpées11AN7251
Votre numéro de pièce
1 500 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Mise en bobine | 1 | 2,940 $ | 2,94 $ |
| Total Prix | 2,94 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,940 $ |
| 50+ | 1,410 $ |
| 100+ | 1,260 $ |
| 250+ | 1,130 $ |
| 500+ | 1,000 $ |
| 1000+ | 0,984 $ |
| 2500+ | 0,963 $ |
| 5000+ | 0,944 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVTFS5C466NLETAGCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant22 semaines
Code Commande
Mise en bobine11AN7251RL
Bandes découpées11AN7251
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id51A
Drain Source On State Resistance0.0073ohm
Transistor Case StyleWDFN
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.2V
Power Dissipation38W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCLead (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
51A
Transistor Case Style
WDFN
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
38W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
0.0073ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.2V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (04-Feb-2026)
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Certificat de conformité du produit