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NVTFS5C680NLWFETAG
MOSFET, N-CH, 60V, 20A, WFDFN-8
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVTFS5C680NLWFETAGCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant22 semaines
Code Commande
Mise en bobine06AN0871RL
Bandes découpées06AN0871
Votre numéro de pièce
3 690 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 1,460 $ | 1,46 $ |
| Total Prix | 1,46 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,460 $ |
| 50+ | 0,723 $ |
| 100+ | 0,649 $ |
| 250+ | 0,585 $ |
| 500+ | 0,521 $ |
| 1000+ | 0,512 $ |
| 2500+ | 0,500 $ |
| 5000+ | 0,491 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVTFS5C680NLWFETAGCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant22 semaines
Code Commande
Mise en bobine06AN0871RL
Bandes découpées06AN0871
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id20A
Drain Source On State Resistance0.0265ohm
Transistor Case StyleWFDFN
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.2V
Power Dissipation20W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
20A
Transistor Case Style
WFDFN
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
20W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.0265ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.2V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit