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NXH020F120MNF1PG
Silicon Carbide MOSFET, Full Bridge, Dual N Channel, 51 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, Module
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 19 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 180,550 $ |
| 5+ | 174,630 $ |
| 10+ | 168,710 $ |
| 25+ | 162,770 $ |
| 50+ | 156,850 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
180,55 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNXH020F120MNF1PG
Code Commande81AK4281
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationFull Bridge
Channel TypeDual N Channel
Continuous Drain Current Id51A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.02ohm
Transistor Case StyleModule
No. of Pins22Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max4.3V
Power Dissipation119W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Full Bridge
Continuous Drain Current Id
51A
Drain Source On State Resistance
0.02ohm
No. of Pins
22Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.3V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Channel Type
Dual N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
Module
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
119W
Product Range
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (15-Jan-2018)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits