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NXH450B100H4Q2F2PG
IGBT Module, Dual, 101 A, 1.7 V, 234 W, 175 °C, Module
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNXH450B100H4Q2F2PG
Code Commande29AK2767
Gamme de produitEliteSiC Series
Fiche technique
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 18 semaine(s)
Contactez-moi quand le produit sera à nouveau en stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 182,680 $ |
| 5+ | 179,800 $ |
| 10+ | 176,990 $ |
| 25+ | 174,090 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
182,68 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNXH450B100H4Q2F2PG
Code Commande29AK2767
Gamme de produitEliteSiC Series
Fiche technique
IGBT ConfigurationDual
Continuous Collector Current101A
Collector Emitter Saturation Voltage1.7V
Power Dissipation234W
Operating Temperature Max175°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationPress Fit
Collector Emitter Voltage Max1kV
IGBT TechnologyIGBT [Trench/Field Stop]
Transistor MountingPanel
Product RangeEliteSiC Series
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
IGBT Configuration
Dual
Collector Emitter Saturation Voltage
1.7V
Operating Temperature Max
175°C
IGBT Termination
Press Fit
IGBT Technology
IGBT [Trench/Field Stop]
Product Range
EliteSiC Series
Continuous Collector Current
101A
Power Dissipation
234W
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage Max
1kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
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Certificat de conformité du produit