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NXV04V120DB1
Bipolar (BJT) Single Transistor, Six N Channel, 160 A, 40 V, 0.0019 ohm, 10 V, 4 V
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 17 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 51,460 $ |
| 5+ | 49,360 $ |
| 10+ | 47,250 $ |
| 25+ | 46,210 $ |
| 88+ | 45,150 $ |
| 132+ | 44,110 $ |
| 264+ | 43,050 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
51,46 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNXV04V120DB1
Code Commande54AH9550
Fiche technique
Transistor PolaritySix N Channel
Channel TypeSix N Channel
Continuous Drain Current Id160A
Drain Source Voltage Vds40V
On Resistance Rds(on)850µohm
Drain Source On State Resistance0.0019ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation Pd-
Power Dissipation-
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Transistor Polarity
Six N Channel
Continuous Drain Current Id
160A
On Resistance Rds(on)
850µohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
-
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
To Be Advised
Channel Type
Six N Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
0.0019ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation
-
Product Range
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits