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NXV65HR82DZ1
Bipolar (BJT) Single Transistor, N Channel, 26 A, 650 V, 0.082 ohm, 10 V, 5 V
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
70 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 55,760 $ |
| 5+ | 52,600 $ |
| 10+ | 51,100 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
55,76 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNXV65HR82DZ1
Code Commande32AJ8467
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id26A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.073ohm
On Resistance Rds(on)0.073ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation126W
Power Dissipation Pd126W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
26A
Drain Source On State Resistance
0.073ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
126W
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
On Resistance Rds(on)
0.073ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Power Dissipation Pd
126W
Product Range
-
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits