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PN2907ATF
Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 60 V, 800 mA, 625 mW, TO-226AA, Through Hole
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantPN2907ATF
Code Commande31Y3455
Fiche technique
Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage Max60V
Collector Emitter Voltage V(br)ceo60V
DC Collector Current800mA
Continuous Collector Current800mA
Power Dissipation Pd625mW
Power Dissipation625mW
Transistor Case StyleTO-226AA
Transistor MountingThrough Hole
DC Current Gain hFE50hFE
No. of Pins3Pins
Transition Frequency200MHz
DC Current Gain hFE Min50hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
PNP
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
60V
Continuous Collector Current
800mA
Power Dissipation
625mW
Transistor Mounting
Through Hole
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
50hFE
Product Range
-
MSL
-
Collector Emitter Voltage Max
60V
DC Collector Current
800mA
Power Dissipation Pd
625mW
Transistor Case Style
TO-226AA
DC Current Gain hFE
50hFE
Transition Frequency
200MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (3)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit