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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 20 semaine(s)
Options de conditionnement
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,160 $ |
| 10+ | 0,718 $ |
| 25+ | 0,633 $ |
| 50+ | 0,551 $ |
| 100+ | 0,466 $ |
| 250+ | 0,423 $ |
| 500+ | 0,380 $ |
| 1000+ | 0,342 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,312 $ |
| 3000+ | 0,305 $ |
| 6000+ | 0,281 $ |
| 12000+ | 0,264 $ |
| 18000+ | 0,245 $ |
| 30000+ | 0,235 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantPZT651T1G
Code Commande81Y7137
Fiche technique
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max60V
Collector Emitter Voltage V(br)ceo60V
Continuous Collector Current2A
Power Dissipation Pd800mW
Power Dissipation800mW
DC Collector Current2A
Transistor Case StyleSOT-223
Transistor MountingSurface Mount
DC Current Gain hFE75hFE
No. of Pins4Pins
Transition Frequency75MHz
DC Current Gain hFE Min75hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCLead (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
NPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
60V
Power Dissipation Pd
800mW
DC Collector Current
2A
Transistor Mounting
Surface Mount
No. of Pins
4Pins
DC Current Gain hFE Min
75hFE
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Collector Emitter Voltage Max
60V
Continuous Collector Current
2A
Power Dissipation
800mW
Transistor Case Style
SOT-223
DC Current Gain hFE
75hFE
Transition Frequency
75MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits