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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,440 $ |
| 10+ | 1,270 $ |
| 100+ | 0,794 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantRFD14N05LSM
Code Commande26M2230
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds50V
Continuous Drain Current Id14A
Drain Source On State Resistance0.1ohm
On Resistance Rds(on)0.1ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd48W
Rds(on) Test Voltage5V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation48W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
50V
Drain Source On State Resistance
0.1ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Power Dissipation Pd
48W
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
14A
On Resistance Rds(on)
0.1ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
5V
Power Dissipation
48W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour RFD14N05LSM
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Produits associés
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit