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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,873 $ |
| 10+ | 0,670 $ |
| 25+ | 0,663 $ |
| 50+ | 0,655 $ |
| 100+ | 0,648 $ |
| 250+ | 0,637 $ |
| 500+ | 0,625 $ |
| 1000+ | 0,618 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantRFD3055LESM9A
Code Commande31Y4007
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id11A
Drain Source On State Resistance0.107ohm
On Resistance Rds(on)0.107ohm
Transistor Case StyleTO-252AA
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage5V
Power Dissipation Pd38W
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation38W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.107ohm
Transistor Case Style
TO-252AA
Rds(on) Test Voltage
5V
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
11A
On Resistance Rds(on)
0.107ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
38W
Power Dissipation
38W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour RFD3055LESM9A
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Produits associés
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit