Imprimer la page
RFP50N06
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 50 A, 0.022 ohm, TO-220AB, Through Hole
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
1 033 En Stock
Vous en voulez davantage ?
expédition le jour même
Commande avant 21h avec expédition standard
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,160 $ |
| 10+ | 1,160 $ |
| 100+ | 1,160 $ |
| 500+ | 1,160 $ |
| 1600+ | 1,160 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
1,16 $
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, au courriel de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantRFP50N06
Code Commande58K9518
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id50A
Drain Source On State Resistance0.022ohm
On Resistance Rds(on)0.022ohm
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd131W
Transistor Case StyleTO-220AB
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation131W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Qualification-
Product Range-
MSL-
SVHCLead
Aperçu du produit
The RFP50N06 is a 60V N-channel power MOSFET using MegaFET process. This process, which uses feature sizes approaching those of LSI integrated circuits gives optimum utilization of silicon, resulting in outstanding performance. The MOSFET is designed for applications such as switching regulators, switching converters, motor drivers and relay drivers. This transistor can be operated directly from integrated circuits. This product is general usage and suitable for many different applications.
- Temperature compensating PSPICE® model
- Peak current vs. pulse width curve
- UIS Rated curve
- 175°C Rated junction temperature
Applications
Power Management, Motor Drive & Control
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.022ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Power Dissipation Pd
131W
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
50A
On Resistance Rds(on)
0.022ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
TO-220AB
Power Dissipation
131W
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
SVHC
Lead
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour RFP50N06
1 produit trouvé
Produits associés
4 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits