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SBC846BPDW1T1G
Bipolar Transistor Array, Complementary NPN and PNP, 65 V, 65 V, 100 mA, 100 mA, 380 mW
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,376 $ |
| 10+ | 0,233 $ |
| 25+ | 0,203 $ |
| 50+ | 0,174 $ |
| 100+ | 0,145 $ |
| 250+ | 0,126 $ |
| 500+ | 0,106 $ |
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Minimum: 1
Multiple: 1
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantSBC846BPDW1T1G
Code Commande13AC3965
Fiche technique
Transistor PolarityComplementary NPN and PNP
Collector Emitter Voltage Max NPN65V
Collector Emitter Voltage Max PNP65V
Continuous Collector Current NPN100mA
Continuous Collector Current PNP100mA
Power Dissipation NPN380mW
Power Dissipation PNP380mW
DC Current Gain hFE Min NPN200hFE
DC Current Gain hFE Min PNP200hFE
Transistor Case StyleSOT-363
No. of Pins6Pins
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Transition Frequency NPN100MHz
Transition Frequency PNP100MHz
Product Range-
QualificationAEC-Q101
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produits de remplacement pour SBC846BPDW1T1G
1 produit trouvé
Spécifications techniques
Transistor Polarity
Complementary NPN and PNP
Collector Emitter Voltage Max PNP
65V
Continuous Collector Current PNP
100mA
Power Dissipation PNP
380mW
DC Current Gain hFE Min PNP
200hFE
No. of Pins
6Pins
Operating Temperature Max
150°C
Transition Frequency PNP
100MHz
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Collector Emitter Voltage Max NPN
65V
Continuous Collector Current NPN
100mA
Power Dissipation NPN
380mW
DC Current Gain hFE Min NPN
200hFE
Transistor Case Style
SOT-363
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency NPN
100MHz
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit