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SNXH800H120L7QDSG
IGBT MODULE, 1.2KV, 800A, PIM
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantSNXH800H120L7QDSGCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant21 semaines
Code Commande49AM1457
Votre numéro de pièce
24 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 399,880 $ |
| 5+ | 391,690 $ |
| 10+ | 383,500 $ |
| 25+ | 375,830 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
399,88 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantSNXH800H120L7QDSGCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant21 semaines
Code Commande49AM1457
IGBT ConfigurationHalf Bridge
Continuous Collector Current800A
Collector Emitter Saturation Voltage1.65V
Power Dissipation-
Operating Temperature Max175°C
Transistor Case StylePIM
IGBT TerminationSolder Pin
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyIGBT 7 [Trench/Field Stop]
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
IGBT Configuration
Half Bridge
Collector Emitter Saturation Voltage
1.65V
Operating Temperature Max
175°C
IGBT Termination
Solder Pin
IGBT Technology
IGBT 7 [Trench/Field Stop]
Product Range
-
Continuous Collector Current
800A
Power Dissipation
-
Transistor Case Style
PIM
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit