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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,584 $ |
| 10+ | 0,429 $ |
| 25+ | 0,378 $ |
| 50+ | 0,328 $ |
| 100+ | 0,278 $ |
| 250+ | 0,244 $ |
| 500+ | 0,209 $ |
| 1000+ | 0,169 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantTF412ST5G
Code Commande51Y5147
Fiche technique
Breakdown Voltage Vbr-30V
Gate Source Breakdown Voltage Max-30V
Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min1.2mA
Zero Gate Voltage Drain Current Max3mA
Gate Source Cutoff Voltage Max-1.5V
Transistor Case StyleSOT-883
No. of Pins3 Pin
Operating Temperature Max150°C
Transistor TypeJFET
Channel TypeN Channel
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Breakdown Voltage Vbr
-30V
Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min
1.2mA
Gate Source Cutoff Voltage Max
-1.5V
No. of Pins
3 Pin
Transistor Type
JFET
Transistor Mounting
Surface Mount
Qualification
-
SVHC
To Be Advised
Gate Source Breakdown Voltage Max
-30V
Zero Gate Voltage Drain Current Max
3mA
Transistor Case Style
SOT-883
Operating Temperature Max
150°C
Channel Type
N Channel
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour TF412ST5G
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit