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UHB50SC12E1BC3N
SIC MOSFET, P-CH, 1.2KV, 69A, PIM
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantUHB50SC12E1BC3N
Code Commande49AM1483
Gamme de produitEliteSiC Series
Fiche technique
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 41 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 335,860 $ |
| 10+ | 323,250 $ |
| 25+ | 311,930 $ |
| 50+ | 304,910 $ |
| 100+ | 288,110 $ |
| 250+ | 282,570 $ |
| 500+ | 276,900 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
335,86 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantUHB50SC12E1BC3N
Code Commande49AM1483
Gamme de produitEliteSiC Series
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
Channel TypeP Channel
Continuous Drain Current Id69A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.024ohm
Transistor Case StylePIM
No. of Pins18Pins
Rds(on) Test Voltage12V
Gate Source Threshold Voltage Max6V
Power Dissipation208W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeEliteSiC Series
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Half Bridge
Continuous Drain Current Id
69A
Drain Source On State Resistance
0.024ohm
No. of Pins
18Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
6V
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
PIM
Rds(on) Test Voltage
12V
Power Dissipation
208W
Product Range
EliteSiC Series
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits