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DRC2123J0L
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 50 V, 100 mA, 200 mW, SOT-23, Surface Mount
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| Quantité | Prix |
|---|---|
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| 10+ | 0,062 $ |
| 100+ | 0,062 $ |
| 1000+ | 0,062 $ |
| 5000+ | 0,062 $ |
| 10000+ | 0,062 $ |
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Informations produit
FabricantPANASONIC
Réf. FabricantDRC2123J0L
Code Commande56W4006
Fiche technique
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo50V
Collector Emitter Voltage Max50V
Continuous Collector Current100mA
Power Dissipation200mW
Power Dissipation Pd200mW
Transistor Case StyleSOT-23
DC Collector Current100mA
Transistor MountingSurface Mount
DC Current Gain hFE80hFE
No. of Pins3Pins
Transition Frequency-
DC Current Gain hFE Min80hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Transistor Polarity
NPN
Collector Emitter Voltage Max
50V
Power Dissipation
200mW
Transistor Case Style
SOT-23
Transistor Mounting
Surface Mount
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
80hFE
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
50V
Continuous Collector Current
100mA
Power Dissipation Pd
200mW
DC Collector Current
100mA
DC Current Gain hFE
80hFE
Transition Frequency
-
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:À déterminer
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit
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