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2SK1317-E
Power MOSFET, N Channel, 1.5 kV, 2.5 A, 9 ohm, TO-3P, Through Hole
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 18,950 $ |
| 10+ | 16,660 $ |
| 25+ | 14,750 $ |
| 60+ | 13,390 $ |
| 120+ | 12,150 $ |
| 270+ | 9,930 $ |
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Informations produit
FabricantRENESAS
Réf. Fabricant2SK1317-E
Code Commande67AH3713
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds1.5kV
Continuous Drain Current Id2.5A
On Resistance Rds(on)9ohm
Drain Source On State Resistance9ohm
Transistor Case StyleTO-3P
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage15V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation Pd100W
Power Dissipation100W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
Aperçu du produit
The 2SK1317-E is a 1500V Silicon N-channel MOSFET with high speed power switching and high breakdown voltage. Suitable for switching regulator, DC to DC converter and motor driver applications.
- High speed switching
- Low drive current
- No secondary breakdown
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.5kV
On Resistance Rds(on)
9ohm
Transistor Case Style
TO-3P
Rds(on) Test Voltage
15V
Power Dissipation Pd
100W
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
2.5A
Drain Source On State Resistance
9ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation
100W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits