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TP65H030G4PWS
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 V, 55.7 A, 0.041 ohm, 24.5 nC, TO-247, Through Hole
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FabricantRENESAS
Réf. FabricantTP65H030G4PWS
Code Commande26AM1876
Gamme de produitSuperGaN Series
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 11,220 $ |
| 10+ | 7,790 $ |
| 25+ | 6,970 $ |
| 50+ | 6,130 $ |
| 100+ | 5,860 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
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Informations produit
FabricantRENESAS
Réf. FabricantTP65H030G4PWS
Code Commande26AM1876
Gamme de produitSuperGaN Series
Fiche technique
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id55.7A
Drain Source On State Resistance0.041ohm
Typical Gate Charge24.5nC
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins3Pins
Product RangeSuperGaN Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.041ohm
Transistor Case Style
TO-247
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
Continuous Drain Current Id
55.7A
Typical Gate Charge
24.5nC
Transistor Mounting
Through Hole
Product Range
SuperGaN Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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