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TP65H035G4WSQA
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 V, 47.2 A, 0.041 ohm, 22 nC, TO-247, Through Hole
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FabricantRENESAS
Réf. FabricantTP65H035G4WSQA
Code Commande97AK4776
Gamme de produitSuperGaN Series
Fiche technique
266 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 29,880 $ |
| 5+ | 29,380 $ |
| 10+ | 28,870 $ |
| 25+ | 24,160 $ |
| 50+ | 20,210 $ |
| 100+ | 19,850 $ |
| 250+ | 19,520 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
29,88 $
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Informations produit
FabricantRENESAS
Réf. FabricantTP65H035G4WSQA
Code Commande97AK4776
Gamme de produitSuperGaN Series
Fiche technique
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id47.2A
Drain Source On State Resistance0.041ohm
Typical Gate Charge22nC
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins3Pins
Product RangeSuperGaN Series
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.041ohm
Transistor Case Style
TO-247
No. of Pins
3Pins
Qualification
AEC-Q101
Continuous Drain Current Id
47.2A
Typical Gate Charge
22nC
Transistor Mounting
Through Hole
Product Range
SuperGaN Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:À déterminer
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits