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TP65H150G4PS
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 V, 16 A, 0.18 ohm, 8 nC, TO-220, Through Hole
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FabricantRENESAS
Réf. FabricantTP65H150G4PS
Code Commande97AK4787
Gamme de produitSuperGaN Series
Fiche technique
1 164 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 12,830 $ |
| 10+ | 12,210 $ |
| 25+ | 10,190 $ |
| 50+ | 8,160 $ |
| 100+ | 7,690 $ |
| 250+ | 7,680 $ |
| 500+ | 6,980 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
12,83 $
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Informations produit
FabricantRENESAS
Réf. FabricantTP65H150G4PS
Code Commande97AK4787
Gamme de produitSuperGaN Series
Fiche technique
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id16A
Drain Source On State Resistance0.18ohm
Typical Gate Charge8nC
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins3Pins
Product RangeSuperGaN Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.18ohm
Transistor Case Style
TO-220
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
Continuous Drain Current Id
16A
Typical Gate Charge
8nC
Transistor Mounting
Through Hole
Product Range
SuperGaN Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:À déterminer
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits