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TP65H300G4JSGB-TR
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 V, 9.2 A, 0.312 ohm, 3.5 nC, QFN, Surface Mount
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FabricantRENESAS
Réf. FabricantTP65H300G4JSGB-TR
Code Commande97AK4788
Gamme de produitSuperGaN Series
Fiche technique
708 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,980 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
2,98 $
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Informations produit
FabricantRENESAS
Réf. FabricantTP65H300G4JSGB-TR
Code Commande97AK4788
Gamme de produitSuperGaN Series
Fiche technique
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id9.2A
Drain Source On State Resistance0.312ohm
Typical Gate Charge3.5nC
Transistor Case StylePQFN
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins8Pins
Product RangeSuperGaN Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.312ohm
Transistor Case Style
PQFN
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
Continuous Drain Current Id
9.2A
Typical Gate Charge
3.5nC
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
SuperGaN Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:À déterminer
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits