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AG048FLS4FRATCB
MOSFET, N-CH, 60V, 36A, HPLF5060T5LSAH
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FabricantROHM
Réf. FabricantAG048FLS4FRATCBCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant18 semaines
Code Commande
Mise en bobine51AM1807RL
Bandes découpées51AM1807
Votre numéro de pièce
100 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 2,810 $ | 2,81 $ |
| Total Prix | 2,81 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,810 $ |
| 50+ | 1,820 $ |
| 100+ | 1,250 $ |
| 250+ | 1,130 $ |
| 500+ | 1,000 $ |
| 1000+ | 0,929 $ |
| 2500+ | 0,907 $ |
| 5000+ | 0,885 $ |
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Informations produit
FabricantROHM
Réf. FabricantAG048FLS4FRATCBCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant18 semaines
Code Commande
Mise en bobine51AM1807RL
Bandes découpées51AM1807
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id36A
Drain Source On State Resistance0.026ohm
Transistor Case StyleHPLF5060T5LSAH
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation34W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
36A
Transistor Case Style
HPLF5060T5LSAH
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
34W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.026ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
4Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit