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AG052FPS4FRATCB
MOSFET, N-CH, 100V, 58A, HPLF5060T5LSAH
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FabricantROHM
Réf. FabricantAG052FPS4FRATCBCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant20 semaines
Code Commande
Mise en bobine51AM1808RL
Bandes découpées51AM1808
Votre numéro de pièce
78 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 3,320 $ | 3,32 $ |
| Total Prix | 3,32 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,320 $ |
| 50+ | 2,160 $ |
| 100+ | 1,510 $ |
| 250+ | 1,360 $ |
| 500+ | 1,210 $ |
| 1000+ | 1,150 $ |
| 2500+ | 1,130 $ |
| 5000+ | 1,110 $ |
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Informations produit
FabricantROHM
Réf. FabricantAG052FPS4FRATCBCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant20 semaines
Code Commande
Mise en bobine51AM1808RL
Bandes découpées51AM1808
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id58A
Drain Source On State Resistance0.022ohm
Transistor Case StyleHPLF5060T5LSAH
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation75W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
58A
Transistor Case Style
HPLF5060T5LSAH
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
75W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.022ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
4Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit