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AG096FPD3HRBTL
MOSFET, N-CHANNEL, 100V, 59A, TO-252
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FabricantROHM
Réf. FabricantAG096FPD3HRBTLCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant20 semaines
Code Commande
Mise en bobine22AM0958RL
Bandes découpées22AM0958
Votre numéro de pièce
2 477 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 3,540 $ | 3,54 $ |
| Total Prix | 3,54 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,540 $ |
| 50+ | 1,760 $ |
| 100+ | 1,600 $ |
| 250+ | 1,440 $ |
| 500+ | 1,290 $ |
| 1000+ | 1,270 $ |
| 2500+ | 1,240 $ |
| 5000+ | 1,220 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantROHM
Réf. FabricantAG096FPD3HRBTLCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant20 semaines
Code Commande
Mise en bobine22AM0958RL
Bandes découpées22AM0958
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id59A
Drain Source On State Resistance0.0158ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation76W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
59A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
76W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.0158ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (07-Nov-2024)
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Certificat de conformité du produit