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AG541EGS4FRATCB
MOSFET, P-CH, 40V, 120A, HPLF5060T5LSAH
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FabricantROHM
Réf. FabricantAG541EGS4FRATCBCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant18 semaines
Code Commande
Mise en bobine51AM1814RL
Bandes découpées51AM1814
Votre numéro de pièce
99 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 4,330 $ | 4,33 $ |
| Total Prix | 4,33 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 4,330 $ |
| 50+ | 2,840 $ |
| 100+ | 2,000 $ |
| 250+ | 1,850 $ |
| 500+ | 1,690 $ |
| 1000+ | 1,630 $ |
| 2500+ | 1,620 $ |
| 5000+ | 1,590 $ |
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Informations produit
FabricantROHM
Réf. FabricantAG541EGS4FRATCBCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant18 semaines
Code Commande
Mise en bobine51AM1814RL
Bandes découpées51AM1814
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id120A
Drain Source On State Resistance5900µohm
Transistor Case StyleHPLF5060T5LSAH
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation125W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
120A
Transistor Case Style
HPLF5060T5LSAH
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
125W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
5900µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
4Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit