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BSM300D12P4G101
Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 291 A, 1.2 kV, Module
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6 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1 018,430 $ |
| 8+ | 1 002,350 $ |
| 12+ | 986,750 $ |
| 28+ | 970,500 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
1 018,43 $
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Informations produit
FabricantROHM
Réf. FabricantBSM300D12P4G101
Code Commande70AK6460
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
Channel TypeDual N Channel
Continuous Drain Current Id291A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance-
Transistor Case StyleModule
No. of Pins11Pins
Rds(on) Test Voltage-
Gate Source Threshold Voltage Max4.8V
Power Dissipation925W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Half Bridge
Continuous Drain Current Id
291A
Drain Source On State Resistance
-
No. of Pins
11Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.8V
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
To Be Advised
Channel Type
Dual N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
Module
Rds(on) Test Voltage
-
Power Dissipation
925W
Product Range
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits