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HT8KE5TB1
DUAL MOSFET, N-CH, 100V, 7A, HSMT
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FabricantROHM
Réf. FabricantHT8KE5TB1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant23 semaines
Code Commande
Mise en bobine80AK4810RL
Bandes découpées80AK4810
Votre numéro de pièce
500 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 2,320 $ | 2,32 $ |
| Total Prix | 2,32 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,320 $ |
| 50+ | 1,470 $ |
| 100+ | 0,980 $ |
| 250+ | 0,876 $ |
| 500+ | 0,770 $ |
| 1000+ | 0,703 $ |
| 2500+ | 0,676 $ |
| 5000+ | 0,646 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantROHM
Réf. FabricantHT8KE5TB1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant23 semaines
Code Commande
Mise en bobine80AK4810RL
Bandes découpées80AK4810
Channel TypeDual N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel100V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel7A
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel0.193ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleHSMT
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel13W
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Channel Type
Dual N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Drain Source Voltage Vds N Channel
100V
Continuous Drain Current Id N Channel
7A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.193ohm
Transistor Case Style
HSMT
Power Dissipation N Channel
13W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit