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QH8JE5TCR
MOSFET, DUAL P-CHANNEL, 100V, 2A, TSMT
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FabricantROHM
Réf. FabricantQH8JE5TCRCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant20 semaines
Code Commande
Mise en bobine02AM9668RL
Bandes découpées02AM9668
Votre numéro de pièce
76 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 2,030 $ | 2,03 $ |
| Total Prix | 2,03 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,030 $ |
| 50+ | 1,280 $ |
| 100+ | 0,846 $ |
| 250+ | 0,754 $ |
| 500+ | 0,660 $ |
| 1000+ | 0,601 $ |
| 2500+ | 0,589 $ |
| 5000+ | 0,577 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantROHM
Réf. FabricantQH8JE5TCRCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant20 semaines
Code Commande
Mise en bobine02AM9668RL
Bandes découpées02AM9668
Channel TypeDual P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel-
Drain Source Voltage Vds P Channel100V
Continuous Drain Current Id N Channel-
Continuous Drain Current Id P Channel2A
Drain Source On State Resistance N Channel-
Drain Source On State Resistance P Channel0.27ohm
Transistor Case StyleTSMT
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel-
Power Dissipation P Channel1.5W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Channel Type
Dual P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
100V
Continuous Drain Current Id P Channel
2A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.27ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
1.5W
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Drain Source Voltage Vds N Channel
-
Continuous Drain Current Id N Channel
-
Drain Source On State Resistance N Channel
-
Transistor Case Style
TSMT
Power Dissipation N Channel
-
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit