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RD3N06BATTL1
MOSFET, P-CHANNEL, 80V, 60A, TO-252
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FabricantROHM
Réf. FabricantRD3N06BATTL1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant23 semaines
Code Commande
Mise en bobine22AM1032RL
Bandes découpées22AM1032
Votre numéro de pièce
90 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 4,250 $ | 4,25 $ |
| Total Prix | 4,25 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 4,250 $ |
| 50+ | 2,780 $ |
| 100+ | 1,950 $ |
| 250+ | 1,800 $ |
| 500+ | 1,650 $ |
| 1000+ | 1,550 $ |
| 2500+ | 1,520 $ |
| 5000+ | 1,490 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantROHM
Réf. FabricantRD3N06BATTL1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant23 semaines
Code Commande
Mise en bobine22AM1032RL
Bandes découpées22AM1032
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id60A
Drain Source On State Resistance0.026ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation101W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
60A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
101W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
0.026ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (07-Nov-2024)
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Certificat de conformité du produit