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RS1E200BNTB1
MOSFET, N-CH, 30V, 68A, HSOP-8 ROHS COMPLIANT: YES
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
2 500 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,350 $ |
| 10+ | 2,020 $ |
| 25+ | 1,820 $ |
| 50+ | 1,640 $ |
| 100+ | 1,380 $ |
| 250+ | 1,230 $ |
| 500+ | 1,060 $ |
| 1000+ | 1,020 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
2,35 $
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Informations produit
FabricantROHM
Réf. FabricantRS1E200BNTB1Copie
Code Commande11AN8763
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id68A
Drain Source On State Resistance0.0039ohm
Transistor Case StyleHSOP
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation25W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
68A
Transistor Case Style
HSOP
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
25W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.0039ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (04-Feb-2026)
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Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits