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RS6G120BHTB1
MOSFET, N-CH, 40V, 210A, HSOP
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FabricantROHM
Réf. FabricantRS6G120BHTB1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant23 semaines
Code Commande
Mise en bobine85AK9628RL
Bandes découpées85AK9628
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 23 semaine(s)
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 5,010 $ | 5,01 $ |
| Total Prix | 5,01 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 5,010 $ |
| 50+ | 3,310 $ |
| 100+ | 2,610 $ |
| 250+ | 2,410 $ |
| 500+ | 2,220 $ |
| 1000+ | 1,930 $ |
| 2500+ | 1,890 $ |
| 5000+ | 1,860 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantROHM
Réf. FabricantRS6G120BHTB1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant23 semaines
Code Commande
Mise en bobine85AK9628RL
Bandes découpées85AK9628
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id210A
Drain Source On State Resistance1380µohm
Transistor Case StyleHSOP
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation104W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
210A
Transistor Case Style
HSOP
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
104W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
1380µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit