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RS7N200BHTB1
MOSFET, N-CHANNEL, 80V, 230A, DFN5060
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FabricantROHM
Réf. FabricantRS7N200BHTB1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant23 semaines
Code Commande
Mise en bobine22AM1051RL
Bandes découpées22AM1051
Votre numéro de pièce
90 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 7,800 $ | 7,80 $ |
| Total Prix | 7,80 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 7,800 $ |
| 50+ | 4,160 $ |
| 100+ | 3,810 $ |
| 250+ | 3,630 $ |
| 500+ | 3,430 $ |
| 1000+ | 3,360 $ |
| 2500+ | 3,290 $ |
| 5000+ | 3,220 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantROHM
Réf. FabricantRS7N200BHTB1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant23 semaines
Code Commande
Mise en bobine22AM1051RL
Bandes découpées22AM1051
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id230A
Drain Source On State Resistance2000µohm
Transistor Case StyleDFN5060
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation180W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
230A
Transistor Case Style
DFN5060
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
180W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
2000µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit