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SCT2160KEHRC11
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 22 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-247N
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29 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 26,820 $ |
| 10+ | 24,120 $ |
| 25+ | 21,420 $ |
| 50+ | 18,730 $ |
| 100+ | 18,690 $ |
| 250+ | 18,630 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
26,82 $
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Informations produit
FabricantROHM
Réf. FabricantSCT2160KEHRC11
Code Commande74AJ1828
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Continuous Drain Current Id22A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.16ohm
On Resistance Rds(on)0.16ohm
Transistor Case StyleTO-247N
No. of Pins3Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max2.8V
Power Dissipation165W
Power Dissipation Pd165W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
On Resistance Rds(on)
0.16ohm
No. of Pins
3Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
2.8V
Power Dissipation Pd
165W
Product Range
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
22A
Drain Source On State Resistance
0.16ohm
Transistor Case Style
TO-247N
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
165W
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits