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SCT3022ALGC11
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 93 A, 650 V, 0.022 ohm, TO-247N
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 32 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 60,220 $ |
| 5+ | 60,200 $ |
| 10+ | 60,190 $ |
| 25+ | 49,310 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
60,22 $
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Informations produit
FabricantROHM
Réf. FabricantSCT3022ALGC11
Code Commande05AC9459
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Continuous Drain Current Id93A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.022ohm
On Resistance Rds(on)0.022ohm
Transistor Case StyleTO-247N
No. of Pins3Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.6V
Power Dissipation339W
Power Dissipation Pd339W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
On Resistance Rds(on)
0.022ohm
No. of Pins
3Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.6V
Power Dissipation Pd
339W
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
93A
Drain Source On State Resistance
0.022ohm
Transistor Case Style
TO-247N
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
339W
Operating Temperature Max
175°C
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits