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SCT3060AW7TL
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 38 A, 650 V, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK)
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| 10+ | 15,600 $ |
| 25+ | 15,530 $ |
| 50+ | 15,460 $ |
| 100+ | 15,380 $ |
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Informations produit
FabricantROHM
Réf. FabricantSCT3060AW7TL
Code Commande93AH0359
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Continuous Drain Current Id38A
Drain Source Voltage Vds650V
On Resistance Rds(on)0.06ohm
Drain Source On State Resistance0.06ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Power Dissipation Pd159W
Gate Source Threshold Voltage Max5.6V
Power Dissipation159W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCLead (23-Jan-2024)
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.06ohm
No. of Pins
7Pins
Power Dissipation Pd
159W
Power Dissipation
159W
Product Range
-
SVHC
Lead (23-Jan-2024)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
38A
On Resistance Rds(on)
0.06ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
18V
Gate Source Threshold Voltage Max
5.6V
Operating Temperature Max
175°C
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (23-Jan-2024)
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Certificat de conformité du produit