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SCT3080AW7TL
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 29 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-263 (D2PAK)
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92 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 19,100 $ |
| 10+ | 14,000 $ |
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Minimum: 1
Multiple: 1
19,10 $
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Informations produit
FabricantROHM
Réf. FabricantSCT3080AW7TL
Code Commande93AH0360
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Continuous Drain Current Id29A
Drain Source Voltage Vds650V
On Resistance Rds(on)0.08ohm
Drain Source On State Resistance0.08ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Power Dissipation Pd125W
Gate Source Threshold Voltage Max5.6V
Power Dissipation125W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (23-Jan-2024)
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.08ohm
No. of Pins
7Pins
Power Dissipation Pd
125W
Power Dissipation
125W
Product Range
-
SVHC
Lead (23-Jan-2024)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
29A
On Resistance Rds(on)
0.08ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
18V
Gate Source Threshold Voltage Max
5.6V
Operating Temperature Max
175°C
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (23-Jan-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits