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SCT3080KLHRC11
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 31 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247N
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212 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 28,400 $ |
| 10+ | 26,570 $ |
| 25+ | 24,720 $ |
| 50+ | 22,880 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
28,40 $
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Informations produit
FabricantROHM
Réf. FabricantSCT3080KLHRC11
Code Commande02AH4686
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationSingle
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id31A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.08ohm
On Resistance Rds(on)0.08ohm
Transistor Case StyleTO-247N
No. of Pins3Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.6V
Power Dissipation165W
Power Dissipation Pd165W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (23-Jan-2024)
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
On Resistance Rds(on)
0.08ohm
No. of Pins
3Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.6V
Power Dissipation Pd
165W
Product Range
-
SVHC
Lead (23-Jan-2024)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
31A
Drain Source On State Resistance
0.08ohm
Transistor Case Style
TO-247N
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
165W
Operating Temperature Max
175°C
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (23-Jan-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits