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SEMIX202GB12E4S
IGBT Module, Dual, 314 A, 1.8 V, 175 °C, SEMiX 2s
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 27 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 180,410 $ |
| 10+ | 175,410 $ |
| 25+ | 172,910 $ |
| 50+ | 170,390 $ |
| 100+ | 160,370 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 6
Multiple: 6
1 082,46 $
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Informations produit
FabricantSEMIKRON
Réf. FabricantSEMIX202GB12E4S
Code Commande11R7829
Fiche technique
Transistor PolarityDual N Channel
IGBT ConfigurationDual
Continuous Collector Current314A
DC Collector Current314A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.8V
Collector Emitter Saturation Voltage1.8V
Power Dissipation Pd-
Power Dissipation-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Operating Temperature Max175°C
Junction Temperature, Tj Max175°C
Transistor Case StyleSEMiX 2s
No. of Pins16Pins
IGBT TerminationStud
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyIGBT 3 [Trench]
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCNo SVHC (15-Jun-2015)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
Dual N Channel
Continuous Collector Current
314A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.8V
Power Dissipation Pd
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
Junction Temperature, Tj Max
175°C
No. of Pins
16Pins
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (15-Jun-2015)
IGBT Configuration
Dual
DC Collector Current
314A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.8V
Power Dissipation
-
Operating Temperature Max
175°C
Transistor Case Style
SEMiX 2s
IGBT Termination
Stud
IGBT Technology
IGBT 3 [Trench]
Product Range
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (15-Jun-2015)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit