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SEMIX703GB126HD
IGBT Module, Dual, 650 A, 1.2 kV, 125 °C, Module
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 27 semaine(s)
Informations produit
FabricantSEMIKRON
Réf. FabricantSEMIX703GB126HD
Code Commande02M8563
Fiche technique
IGBT ConfigurationDual
Transistor PolarityDual N Channel
DC Collector Current650A
Continuous Collector Current650A
Collector Emitter Saturation Voltage1.2kV
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.2kV
Power Dissipation Pd-
Power Dissipation-
Operating Temperature Max125°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Junction Temperature, Tj Max125°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationStud
No. of Pins11Pins
IGBT TechnologyIGBT 3 [Trench]
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCNo SVHC (15-Jun-2015)
Spécifications techniques
IGBT Configuration
Dual
DC Collector Current
650A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.2kV
Power Dissipation Pd
-
Operating Temperature Max
125°C
Junction Temperature, Tj Max
125°C
IGBT Termination
Stud
IGBT Technology
IGBT 3 [Trench]
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (15-Jun-2015)
Transistor Polarity
Dual N Channel
Continuous Collector Current
650A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.2kV
Power Dissipation
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
Transistor Case Style
Module
No. of Pins
11Pins
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Product Range
-
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (15-Jun-2015)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit