Imprimer la page
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.

FabricantSEMIKRON
Réf. FabricantSKM100GB12VCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant26 semaines
Code Commande77R2546
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 26 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 8+ | 134,370 $ |
| 24+ | 125,980 $ |
| 40+ | 117,580 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 8
Multiple: 8
1 074,96 $
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantSEMIKRON
Réf. FabricantSKM100GB12VCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant26 semaines
Code Commande77R2546
Fiche technique
Transistor PolarityDual N Channel
IGBT ConfigurationHalf Bridge
DC Collector Current159A
Continuous Collector Current159A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.75V
Collector Emitter Saturation Voltage1.75V
Power Dissipation-
Power Dissipation Pd-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Operating Temperature Max175°C
Junction Temperature, Tj Max175°C
Transistor Case StyleModule
No. of Pins7Pins
IGBT TerminationStud
IGBT TechnologyV-IGBT
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCNo SVHC (15-Jun-2015)
Aperçu du produit
The SKM100GB12V is a SEMITRANS® 2 IGBT Module for use with AC inverter drives and electronic welders. It features insulated copper base plate using DBC technology (Direct Copper Bonding) and increased power cycling capability.
- Half-bridge switch
- V-IGBT = 6th generation Trench V-IGBT (Fuji)
- CAL4 = Soft switching 4th generation CAL-diode
- Integrated gate resistor
- Lowest switching losses at high di/dt
- UL recognized, file number E63532
Applications
Power Management, Maintenance & Repair
Spécifications techniques
Transistor Polarity
Dual N Channel
DC Collector Current
159A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.75V
Power Dissipation
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
Junction Temperature, Tj Max
175°C
No. of Pins
7Pins
IGBT Technology
V-IGBT
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (15-Jun-2015)
IGBT Configuration
Half Bridge
Continuous Collector Current
159A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.75V
Power Dissipation Pd
-
Operating Temperature Max
175°C
Transistor Case Style
Module
IGBT Termination
Stud
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Product Range
-
Documents techniques (2)
Produits associés
4 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (15-Jun-2015)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
