Imprimer la page
SKM150GB12T4G
IGBT, HALF BRIDGE, 1.2KV, 223A, MODULE
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
52 En Stock
Vous en voulez davantage ?
1 Livraison dans 1-3 jours ouvrables(US stock)
51 Livraison dans 2-4 jours ouvrables(UK stock)
Commander avant 18:00
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 319,950 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
319,95 $
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantSEMIKRON
Réf. FabricantSKM150GB12T4G
Code Commande55X3187
Fiche technique
IGBT ConfigurationHalf Bridge
DC Collector Current223A
Continuous Collector Current223A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.85V
Collector Emitter Saturation Voltage1.85V
Power Dissipation-
Power Dissipation Pd-
Junction Temperature, Tj Max175°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Operating Temperature Max175°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationStud
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyIGBT 4 Fast [Trench]
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCNo SVHC (15-Jun-2015)
Aperçu du produit
The SKM150GB12T4G is a SEMITRANS® 3 fast IGBT Module for use with AC inverter drives and electronic welders at fsw up to 20kHz. It features insulated copper base plate using DBC technology (Direct Bonded Copper) and increased power cycling capability.
- Half-bridge switch
- IGBT4 = 4th generation fast Trench IGBT (Infineon)
- CAL4 = Soft switching 4th generation CAL-diode
- Integrated gate resistor
- UL recognized, file number E63532
Spécifications techniques
IGBT Configuration
Half Bridge
Continuous Collector Current
223A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.85V
Power Dissipation Pd
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (15-Jun-2015)
DC Collector Current
223A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.85V
Power Dissipation
-
Junction Temperature, Tj Max
175°C
Operating Temperature Max
175°C
IGBT Termination
Stud
IGBT Technology
IGBT 4 Fast [Trench]
Product Range
-
Documents techniques (3)
Produits associés
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (15-Jun-2015)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit