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SKM150GB12T4G
IGBT Module, Half Bridge, 223 A, 1.85 V, 175 °C, Module
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 298,600 $ |
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Informations produit
FabricantSEMIKRON
Réf. FabricantSKM150GB12T4G
Code Commande55X3187
Fiche technique
IGBT ConfigurationHalf Bridge
Continuous Collector Current223A
DC Collector Current223A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.85V
Collector Emitter Saturation Voltage1.85V
Power Dissipation-
Power Dissipation Pd-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Junction Temperature, Tj Max175°C
Operating Temperature Max175°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationScrew
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyIGBT 4 Fast [Trench]
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
IGBT Configuration
Half Bridge
DC Collector Current
223A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.85V
Power Dissipation Pd
-
Junction Temperature, Tj Max
175°C
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
To Be Advised
Continuous Collector Current
223A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.85V
Power Dissipation
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
Operating Temperature Max
175°C
IGBT Termination
Screw
IGBT Technology
IGBT 4 Fast [Trench]
Product Range
-
Documents techniques (3)
Produits associés
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit