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SKM200GB12E4
IGBT Module, Half Bridge, 313 A, 1.8 V, 175 °C, Module
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 33 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 305,040 $ |
| 5+ | 286,730 $ |
| 10+ | 271,480 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
305,04 $
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Informations produit
FabricantSEMIKRON
Réf. FabricantSKM200GB12E4
Code Commande55X3191
Fiche technique
IGBT ConfigurationHalf Bridge
DC Collector Current313A
Continuous Collector Current313A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.8V
Collector Emitter Saturation Voltage1.8V
Power Dissipation Pd-
Power Dissipation-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Operating Temperature Max175°C
Junction Temperature, Tj Max175°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationStud
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyIGBT 4 [Trench]
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCNo SVHC (15-Jun-2015)
Spécifications techniques
IGBT Configuration
Half Bridge
Continuous Collector Current
313A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.8V
Power Dissipation
-
Operating Temperature Max
175°C
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (15-Jun-2015)
DC Collector Current
313A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.8V
Power Dissipation Pd
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
Junction Temperature, Tj Max
175°C
IGBT Termination
Stud
IGBT Technology
IGBT 4 [Trench]
Product Range
-
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (15-Jun-2015)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit