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SKM300GB12T4
IGBT Array & Module Transistor, Dual N Channel, 422 A, 1.85 V, 1.2 kV, Module RoHS Compliant: Yes
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3 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 377,560 $ |
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Minimum: 1
Multiple: 1
377,56 $
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Informations produit
FabricantSEMIKRON
Réf. FabricantSKM300GB12T4
Code Commande55X3196
Fiche technique
IGBT ConfigurationHalf Bridge
DC Collector Current422A
Continuous Collector Current422A
Collector Emitter Saturation Voltage1.85V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.85V
Power Dissipation Pd-
Power Dissipation-
Operating Temperature Max175°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Junction Temperature, Tj Max175°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationStud
IGBT TechnologyIGBT 4 Fast [Trench]
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCNo SVHC (15-Jun-2015)
Spécifications techniques
IGBT Configuration
Half Bridge
Continuous Collector Current
422A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.85V
Power Dissipation
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
Transistor Case Style
Module
IGBT Technology
IGBT 4 Fast [Trench]
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (15-Jun-2015)
DC Collector Current
422A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.85V
Power Dissipation Pd
-
Operating Temperature Max
175°C
Junction Temperature, Tj Max
175°C
IGBT Termination
Stud
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Product Range
-
Documents techniques (3)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (15-Jun-2015)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits