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SKM400GB12E4
IGBT Module, Half Bridge, 616 A, 1.8 V, 175 °C, SEMITRANS 3
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 28 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 10+ | 401,810 $ |
| 25+ | 378,680 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 12
Multiple: 12
4 821,72 $
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Informations produit
FabricantSEMIKRON
Réf. FabricantSKM400GB12E4
Code Commande34R2097
Fiche technique
Transistor PolarityDual N Channel
IGBT ConfigurationHalf Bridge
Continuous Collector Current616A
DC Collector Current616A
Collector Emitter Saturation Voltage1.8V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.8V
Power Dissipation-
Power Dissipation Pd-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Operating Temperature Max175°C
Junction Temperature, Tj Max175°C
Transistor Case StyleSEMITRANS 3
IGBT TerminationStud
No. of Pins11Pins
IGBT TechnologyIGBT 4 [Trench]
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCNo SVHC (15-Jun-2015)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
Dual N Channel
Continuous Collector Current
616A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.8V
Power Dissipation
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
Junction Temperature, Tj Max
175°C
IGBT Termination
Stud
IGBT Technology
IGBT 4 [Trench]
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (15-Jun-2015)
IGBT Configuration
Half Bridge
DC Collector Current
616A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.8V
Power Dissipation Pd
-
Operating Temperature Max
175°C
Transistor Case Style
SEMITRANS 3
No. of Pins
11Pins
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Product Range
-
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (15-Jun-2015)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit